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ON Semiconductor - NTMD6N02R2G

KEY Part #: K6523245

NTMD6N02R2G Preise (USD) [325745Stück Lager]

  • 1 pcs$0.11412
  • 2,500 pcs$0.11355
Artikelnummer:
NTMD6N02R2G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - HF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NTMD6N02R2G elektronische Komponenten. NTMD6N02R2G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NTMD6N02R2G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMD6N02R2G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NTMD6N02R2G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.92A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1100pF @ 16V
Leistung max : 730mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOIC

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