Artikelnummer :
MBR600200CT
Hersteller :
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung :
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER
Diodenkonfiguration :
1 Pair Common Cathode
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
920mV @ 300A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
3mA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang :
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Twin Tower
Supplier Device Package :
Twin Tower