Microsemi Corporation - 1N6622US

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Artikelnummer:
1N6622US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N6622US Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1N6622US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 660V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.2A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 660V
Kapazität @ Vr, F : 10pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : A-MELF
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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