Alliance Memory, Inc. - AS4C32M16SB-6TIN

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Artikelnummer:
AS4C32M16SB-6TIN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP. DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - RMS-zu-DC-Wandler, PMIC - Spannungsreferenz, Logik - Gates und Inverter, Schnittstelle - UARTs (Universal Asynchronous Rece, Clock / Timing - Taktpuffer, Treiber, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array), PMIC - Aktuelle Verordnung / Management and Speicher - Batterien ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-6TIN elektronische Komponenten. AS4C32M16SB-6TIN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C32M16SB-6TIN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C32M16SB-6TIN Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C32M16SB-6TIN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 512Mb (32M x 16)
Taktfrequenz : 166MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 54-TSOP II