Artikelnummer :
BQ4015LYMA-70N
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP
Speichertyp :
Non-Volatile
Technologie :
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße :
4Mb (512K x 8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite :
70ns
Speicherschnittstelle :
Parallel
Spannungsversorgung :
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Supplier Device Package :
32-DIP Module (18.42x42.8)