FGA30N120FTDTU Preise (USD) [13999Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FGA30N120FTDTU
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1200V 60A 339W TO3P.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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FGA30N120FTDTU Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FGA30N120FTDTU
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 30A
Leistung max :
339W
Energie wechseln :
-
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
208nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
-
Testbedingung :
-
Reverse Recovery Time (trr) :
730ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package :
TO-3PN
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