DTC115GUAT106 Preise (USD) [2686624Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DTC115GUAT106
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DTC115GUAT106 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DTC115GUAT106
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
-
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
82 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang :
250MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
UMT3
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