IXFT10N100 Preise (USD) [8126Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXFT10N100
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFT10N100 elektronische Komponenten. IXFT10N100 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFT10N100 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXFT10N100 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXFT10N100
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 4mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4000pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-268
Paket / fall :
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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