Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.5V @ 9A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
400ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
2µA @ 600V
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
-
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C