Infineon Technologies - IFS75B12N3E4B31BOSA1

KEY Part #: K6534443

IFS75B12N3E4B31BOSA1 Preise (USD) [739Stück Lager]

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Artikelnummer:
IFS75B12N3E4B31BOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOD IGBT LOW PWR ECONO.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IFS75B12N3E4B31BOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IFS75B12N3E4B31BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOD IGBT LOW PWR ECONO
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
Leistung max : 385W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4.3nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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