GeneSiC Semiconductor - GB100XCP12-227

KEY Part #: K6532798

GB100XCP12-227 Preise (USD) [417Stück Lager]

  • 1 pcs$110.09500
  • 10 pcs$104.78142

Artikelnummer:
GB100XCP12-227
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 100A SOT-227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227 elektronische Komponenten. GB100XCP12-227 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GB100XCP12-227 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB100XCP12-227 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GB100XCP12-227
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : IGBT 1200V 100A SOT-227
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
IGBT-Typ : PT
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100A
Leistung max : -
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 8.55nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SOT-227-4
Supplier Device Package : SOT-227
Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT