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GeneSiC Semiconductor - MURTA300120

KEY Part #: K6468812

MURTA300120 Preise (USD) [854Stück Lager]

  • 1 pcs$54.38981
  • 18 pcs$36.55488
Artikelnummer:
MURTA300120
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER. Rectifiers 1200V 300A Si Super Fast Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURTA300120 elektronische Komponenten. MURTA300120 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURTA300120 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURTA300120 Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURTA300120
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 150A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.6V @ 150A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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