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GeneSiC Semiconductor - MSRTA60080(A)

KEY Part #: K6473621

MSRTA60080(A) Preise (USD) [880Stück Lager]

  • 1 pcs$55.16653
  • 25 pcs$54.89207
Artikelnummer:
MSRTA60080(A)
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MSRTA60080(A) elektronische Komponenten. MSRTA60080(A) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MSRTA60080(A) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRTA60080(A) Produkteigenschaften

Artikelnummer : MSRTA60080(A)
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 800V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 600A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 600A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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