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- Artikelnummer:
- IRL6372PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRL6372PBF elektronische Komponenten. IRL6372PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL6372PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL6372PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL6372PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 10µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1020pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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