IDT, Integrated Device Technology Inc - 71V416S12PHGI

KEY Part #: K939388

71V416S12PHGI Preise (USD) [24994Stück Lager]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66320
  • 25 pcs$1.62689
  • 50 pcs$1.61790
  • 100 pcs$1.45096
  • 250 pcs$1.44553
  • 500 pcs$1.39230
  • 1,000 pcs$1.32372

Artikelnummer:
71V416S12PHGI
Hersteller:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Detaillierte Beschreibung:
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II. SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Sprachaufzeichnung und Wiedergabe, PMIC - Ladegeräte, Linear - Videoverarbeitung, PMIC - Lasertreiber, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) m, Datenerfassung - digitale Potentiometer, Schnittstelle - Modems - ICs und Module and Logik - Multivibratoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416S12PHGI elektronische Komponenten. 71V416S12PHGI kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 71V416S12PHGI haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

71V416S12PHGI Produkteigenschaften

Artikelnummer : 71V416S12PHGI
Hersteller : IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung : IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : SRAM
Technologie : SRAM - Asynchronous
Speichergröße : 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 12ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 44-TSOP II
Sie könnten auch interessiert sein an
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.