Artikelnummer :
HGTP10N120BN
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
Teilestatus :
Not For New Designs
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
35A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
80A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.7V @ 15V, 10A
Energie wechseln :
320µJ (on), 800µJ (off)
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
23ns/165ns
Testbedingung :
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3