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Microsemi Corporation - JANTXV1N5802

KEY Part #: K6444316

[2492Stück Lager]

    Artikelnummer:
    JANTXV1N5802
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 50V HRV 2FFTV
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTXV1N5802 elektronische Komponenten. JANTXV1N5802 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTXV1N5802 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N5802 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JANTXV1N5802
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 50V
    Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
    Befestigungsart : Through Hole
    Paket / fall : A, Axial
    Supplier Device Package : -
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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