Microsemi Corporation - APT150GT120JR

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APT150GT120JR Preise (USD) [1738Stück Lager]

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Artikelnummer:
APT150GT120JR
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 170A 830W SOT227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT150GT120JR Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT150GT120JR
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 170A 830W SOT227
Serie : Thunderbolt IGBT®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : NPT
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 170A
Leistung max : 830W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.7V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 9.3nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : ISOTOP
Supplier Device Package : ISOTOP®

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