Infineon Technologies - BSM200GB60DLCHOSA1

KEY Part #: K6532716

BSM200GB60DLCHOSA1 Preise (USD) [954Stück Lager]

  • 1 pcs$48.66594

Artikelnummer:
BSM200GB60DLCHOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE 600V 230A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSM200GB60DLCHOSA1 elektronische Komponenten. BSM200GB60DLCHOSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSM200GB60DLCHOSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSM200GB60DLCHOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSM200GB60DLCHOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE 600V 230A
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
IGBT-Typ : -
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 230A
Leistung max : 730W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 9nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 125°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

Sie könnten auch interessiert sein an
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.