Taiwan Semiconductor Corporation - HS1JL R3G

KEY Part #: K6433292

HS1JL R3G Preise (USD) [1102456Stück Lager]

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Artikelnummer:
HS1JL R3G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 1A 600V SUPER FAST SMT
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Thyristoren - SCRs - Module ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

HS1JL R3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : HS1JL R3G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : DO-219AB
Supplier Device Package : Sub SMA
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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