Vishay Semiconductor Diodes Division - VBT10200C-E3/8W

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Artikelnummer:
VBT10200C-E3/8W
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 200V TrenchMOS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division VBT10200C-E3/8W elektronische Komponenten. VBT10200C-E3/8W kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu VBT10200C-E3/8W haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VBT10200C-E3/8W Produkteigenschaften

Artikelnummer : VBT10200C-E3/8W
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE SCHOTTKY 10A 200V TO-263AB
Serie : TMBS®
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.6V @ 5A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 150µA @ 200V
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : TO-263AB

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