GPA030A135MN-FDR Preise (USD) [39064Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- GPA030A135MN-FDR
- Hersteller:
- Global Power Technologies Group
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1350V 60A 329W TO3PN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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GPA030A135MN-FDR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
GPA030A135MN-FDR
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1350V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
90A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.4V @ 15V, 30A
Leistung max :
329W
Energie wechseln :
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
300nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
30ns/145ns
Testbedingung :
600V, 30A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
450ns
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-3
Supplier Device Package :
TO-3PN
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