ON Semiconductor - NJVMJD112G

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Artikelnummer:
NJVMJD112G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NJVMJD112G Produkteigenschaften

Artikelnummer : NJVMJD112G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 2A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 100V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 3V @ 40mA, 4A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 1000 @ 2A, 3V
Leistung max : 1.75W
Frequenz - Übergang : 25MHz
Betriebstemperatur : -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package : DPAK

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