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GeneSiC Semiconductor - MSRT20060(A)

KEY Part #: K6469997

MSRT20060(A) Preise (USD) [1958Stück Lager]

  • 1 pcs$23.10929
  • 25 pcs$22.99432
Artikelnummer:
MSRT20060(A)
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Leistungstreibermodule ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MSRT20060(A) elektronische Komponenten. MSRT20060(A) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MSRT20060(A) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MSRT20060(A) Produkteigenschaften

Artikelnummer : MSRT20060(A)
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Cathode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 200A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 600V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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