Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS387,L3F

KEY Part #: K6456629

1SS387,L3F Preise (USD) [2750629Stück Lager]

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Artikelnummer:
1SS387,L3F
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1SS387,L3F Produkteigenschaften

Artikelnummer : 1SS387,L3F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 100mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 100mA
Geschwindigkeit : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 500nA @ 80V
Kapazität @ Vr, F : 3pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-79, SOD-523
Supplier Device Package : ESC
Betriebstemperatur - Übergang : 125°C (Max)

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