BSM35GB120DN2HOSA1 Preise (USD) [1407Stück Lager]
- 1 pcs$30.77192
- Artikelnummer:
- BSM35GB120DN2HOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 2 MED POWER 34MM-1.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSM35GB120DN2HOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM35GB120DN2HOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 2 MED POWER 34MM-1
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
50A
Leistung max :
280W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.2V @ 15V, 35A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
2nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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