Microsemi Corporation - JAN1N4461DUS

KEY Part #: K6479755

JAN1N4461DUS Preise (USD) [3071Stück Lager]

  • 1 pcs$14.10044
  • 100 pcs$13.48736

Artikelnummer:
JAN1N4461DUS
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE ZENER 6.8V 1.5W D-5A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Zener - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N4461DUS elektronische Komponenten. JAN1N4461DUS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N4461DUS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N4461DUS Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N4461DUS
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE ZENER 6.8V 1.5W D-5A
Serie : Military, MIL-PRF-19500/406
Teilestatus : Active
Spannung - Zener (Nom) (Vz) : 6.8V
Toleranz : ±1%
Leistung max : 1.5W
Impedanz (max.) (Zzt) : 2.5 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5µA @ 4.08V
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1V @ 200mA
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, A
Supplier Device Package : D-5A

Sie könnten auch interessiert sein an
  • MMBD1705A

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 30V 50MA SOT23-3.

  • SMBD7000E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 100V 0.2A

  • 1SS181,LF

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR

  • BAV170E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode Array

  • BAV70E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 200mA

  • BAV70WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR