Alliance Memory, Inc. - AS4C64M16D3L-12BCN

KEY Part #: K939397

AS4C64M16D3L-12BCN Preise (USD) [24994Stück Lager]

  • 1 pcs$1.83331
  • 10 pcs$1.66496
  • 25 pcs$1.62883
  • 50 pcs$1.61984
  • 100 pcs$1.45272
  • 250 pcs$1.44731

Artikelnummer:
AS4C64M16D3L-12BCN
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA. DRAM 1G 1.35V 1600Mhz 64M x 16 DDR3
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: PMIC - Batteriemanagement, Spezialisierte ICs, Embedded - CPLDs (Komplexe programmierbare Logikge, PMIC - Spannungsregler - Spezialanwendungen, IC-Chips, Schnittstelle - Sensor- und Detektorschnittstellen, Schnittstelle - Sensor, kapazitive Berührung and Logik - Paritätsgeneratoren und Prüfer ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3L-12BCN elektronische Komponenten. AS4C64M16D3L-12BCN kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C64M16D3L-12BCN haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C64M16D3L-12BCN Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C64M16D3L-12BCN
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - DDR3L
Speichergröße : 1Gb (64M x 16)
Taktfrequenz : 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 20ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 96-VFBGA
Supplier Device Package : 96-FBGA (8x13)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W632GG8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB12I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

  • W632GU8MB15I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.