Micron Technology Inc. - MT48LC2M32B2P-6A AAT:J

KEY Part #: K937814

MT48LC2M32B2P-6A AAT:J Preise (USD) [18124Stück Lager]

  • 1 pcs$2.52827
  • 1,080 pcs$2.19014

Artikelnummer:
MT48LC2M32B2P-6A AAT:J
Hersteller:
Micron Technology Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II. DRAM SDRAM 64M 2MX32 TSOP
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Uhr / Timing - Echtzeituhren, Uhr / Timing - IC-Batterien, Logik - FIFOs Speicher, Schnittstelle - Filter - Aktiv, Schnittstelle - UARTs (Universal Asynchronous Rece, Datenerfassung - digitale Potentiometer, Clock / Timing - Taktgeneratoren, PLLs, Frequenzsy and Linear - Verstärker - Audio ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6A AAT:J elektronische Komponenten. MT48LC2M32B2P-6A AAT:J kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MT48LC2M32B2P-6A AAT:J haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MT48LC2M32B2P-6A AAT:J Produkteigenschaften

Artikelnummer : MT48LC2M32B2P-6A AAT:J
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
Serie : Automotive, AEC-Q100
Teilestatus : Last Time Buy
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM
Speichergröße : 64Mb (2M x 32)
Taktfrequenz : 167MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 12ns
Zugriffszeit : 5.4ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 105°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Supplier Device Package : 86-TSOP II

Sie könnten auch interessiert sein an
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C

  • W97AH6KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C