Microsemi Corporation - JAN1N6630U

KEY Part #: K6442382

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    Artikelnummer:
    JAN1N6630U
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N6630U elektronische Komponenten. JAN1N6630U kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N6630U haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6630U Produkteigenschaften

    Artikelnummer : JAN1N6630U
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF
    Serie : Military, MIL-PRF-19500/590
    Teilestatus : Active
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 900V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1.4A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 2µA @ 900V
    Kapazität @ Vr, F : -
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SQ-MELF, E
    Supplier Device Package : D-5B
    Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 150°C

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