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- Artikelnummer:
- DTB123YUT106
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
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- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DTB123YUT106 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DTB123YUT106
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
PNP - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
2.2 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Leistung max :
200mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SC-70, SOT-323
Supplier Device Package :
UMT3
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