GeneSiC Semiconductor - MBR40035CTR

KEY Part #: K6468439

MBR40035CTR Preise (USD) [1067Stück Lager]

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Artikelnummer:
MBR40035CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 400A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - TRIACs and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR40035CTR elektronische Komponenten. MBR40035CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR40035CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR40035CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR40035CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 400A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 400A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 200A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 35V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower