Infineon Technologies - DDB6U85N16LHOSA1

KEY Part #: K6468736

DDB6U85N16LHOSA1 Preise (USD) [857Stück Lager]

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Artikelnummer:
DDB6U85N16LHOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE 1600V 60A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Arrays and Dioden - Brückengleichrichter ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DDB6U85N16LHOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DDB6U85N16LHOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE 1600V 60A
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 3 Independent
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 60A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.44V @ 100A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 5mA @ 1600V
Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : AG-ISOPACK-1

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