RJH60D5BDPQ-E0#T2 Preise (USD) [17778Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RJH60D5BDPQ-E0#T2
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 75A 200W TO-247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RJH60D5BDPQ-E0#T2
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
IGBT 600V 75A 200W TO-247
Serie :
-
Teilestatus :
Active
IGBT-Typ :
Trench
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
-
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.2V @ 15V, 37A
Leistung max :
200W
Energie wechseln :
400µJ (on), 810µJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
50ns/130ns
Testbedingung :
300V, 37A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
25ns
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3
Supplier Device Package :
TO-247
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