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GeneSiC Semiconductor - MURT20060R

KEY Part #: K6468596

MURT20060R Preise (USD) [999Stück Lager]

  • 1 pcs$46.46811
  • 25 pcs$29.08672
Artikelnummer:
MURT20060R
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER. Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V200A600P/424R
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MURT20060R elektronische Komponenten. MURT20060R kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MURT20060R haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MURT20060R Produkteigenschaften

Artikelnummer : MURT20060R
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 100A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 160ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 25µA @ 50V
Betriebstemperatur - Übergang : -
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Three Tower
Supplier Device Package : Three Tower
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