PDTD113ZQAZ Preise (USD) [1753306Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- PDTD113ZQAZ
- Hersteller:
- Nexperia USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 3DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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PDTD113ZQAZ Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PDTD113ZQAZ
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
1 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
70 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
100mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
210MHz
Leistung max :
325mW
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
3-XDFN Exposed Pad
Supplier Device Package :
DFN1010D-3
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