Infineon Technologies - BCR133E6327HTSA1

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Artikelnummer:
BCR133E6327HTSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
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Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BCR133E6327HTSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BCR133E6327HTSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Serie : -
Teilestatus : Last Time Buy
Transistortyp : NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 10 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 30 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang : 130MHz
Leistung max : 200mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package : SOT-23-3

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