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GeneSiC Semiconductor - MBR30035CTR

KEY Part #: K6472033

MBR30035CTR Preise (USD) [1633Stück Lager]

  • 1 pcs$27.56172
  • 10 pcs$25.94202
Artikelnummer:
MBR30035CTR
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 35V 300A Schottky Recovery
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - spezieller Zweck ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor MBR30035CTR elektronische Komponenten. MBR30035CTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MBR30035CTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR30035CTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : MBR30035CTR
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : DIODE MODULE 35V 300A 2TOWER
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodenkonfiguration : 1 Pair Common Anode
Diodentyp : Schottky, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) : 300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 700mV @ 150A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1mA @ 35V
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Twin Tower
Supplier Device Package : Twin Tower
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