Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
Angetriebene Konfiguration :
Half-Bridge
Gate-Typ :
IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung :
10V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH :
6V, 9.5V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) :
250mA, 500mA
Eingabetyp :
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) :
600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) :
80ns, 40ns
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Supplier Device Package :
16-SOIC