Hersteller :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 1A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
10µA @ 1600V
Kapazität @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
DO-213AB, MELF (Glass)
Supplier Device Package :
DO-213AB
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C