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Toshiba Memory America, Inc. - TC58BYG0S3HBAI4

KEY Part #: K939351

TC58BYG0S3HBAI4 Preise (USD) [24757Stück Lager]

  • 1 pcs$1.85094
Artikelnummer:
TC58BYG0S3HBAI4
Hersteller:
Toshiba Memory America, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE. NAND Flash 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Speicher - Konfigurationsproms für FPGAs, PMIC - Motortreiber, Steuerungen, PMIC - Energiemessung, Schnittstelle - Treiber, Empfänger, Transceiver, Logik - Übersetzer, Pegelumsetzer, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen, Embedded - FPGAs (Field Programmable Gate Array) and Spezialisierte ICs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG0S3HBAI4 elektronische Komponenten. TC58BYG0S3HBAI4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TC58BYG0S3HBAI4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58BYG0S3HBAI4 Produkteigenschaften

Artikelnummer : TC58BYG0S3HBAI4
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 1Gb (128M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : -
Speicherschnittstelle : -
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 63-VFBGA
Supplier Device Package : 63-TFBGA (9x11)

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