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- Artikelnummer:
- APT102GA60B2
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 600V 183A 780W TO247.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APT102GA60B2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APT102GA60B2
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
IGBT 600V 183A 780W TO247
Serie :
POWER MOS 8™
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
PT
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
600V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
183A
Strom - Kollektor gepulst (Icm) :
307A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 62A
Leistung max :
780W
Energie wechseln :
1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
Eingabetyp :
Standard
Gate Charge :
294nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C :
28ns/212ns
Testbedingung :
400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
TO-247-3 Variant
Supplier Device Package :
-
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