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- Artikelnummer:
- BSM75GB170DN2HOSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
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BSM75GB170DN2HOSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSM75GB170DN2HOSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
IGBT-Typ :
-
Aufbau :
Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
110A
Leistung max :
625W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
Eingang :
Standard
NTC-Thermistor :
No
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
Module
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