Artikelnummer :
DTD133HKT146
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Transistortyp :
NPN - Pre-Biased
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
500mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
50V
Widerstand - Basis (R1) :
3.3 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) :
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce :
56 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
500nA
Frequenz - Übergang :
200MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package :
SMT3