DD800S17H4B2BOSA2 Preise (USD) [110Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DD800S17H4B2BOSA2
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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DD800S17H4B2BOSA2 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DD800S17H4B2BOSA2
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodenkonfiguration :
2 Independent
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
1700V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) :
-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
2.1V @ 800A
Geschwindigkeit :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
900A @ 900V
Betriebstemperatur - Übergang :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
AG-IHMB130-1
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