JAN1N5809URS Preise (USD) [4803Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- JAN1N5809URS
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
- Wettbewerbsvorteil:
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JAN1N5809URS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
JAN1N5809URS
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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