JAN1N5809URS Preise (USD) [4803Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- JAN1N5809URS
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG. Rectifiers Rectifier
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Leistungstreibermodule and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5809URS elektronische Komponenten. JAN1N5809URS kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5809URS haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
JAN1N5809URS Produkteigenschaften
Artikelnummer :
JAN1N5809URS
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
875mV @ 4A
Geschwindigkeit :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) :
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
SQ-MELF, B
Supplier Device Package :
B, SQ-MELF
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 175°C
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