ON Semiconductor - BUB323ZT4G

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BUB323ZT4G Preise (USD) [61094Stück Lager]

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Artikelnummer:
BUB323ZT4G
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUB323ZT4G Produkteigenschaften

Artikelnummer : BUB323ZT4G
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : NPN - Darlington
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 10A
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 350V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 1.7V @ 250mA, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 500 @ 5A, 4.6V
Leistung max : 150W
Frequenz - Übergang : 2MHz
Betriebstemperatur : -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package : D2PAK

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