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Microsemi Corporation - JANTX1N5417US

KEY Part #: K6429982

JANTX1N5417US Preise (USD) [4233Stück Lager]

  • 1 pcs$10.23430
  • 100 pcs$7.32633
Artikelnummer:
JANTX1N5417US
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B. Rectifiers Rectifier
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N5417US elektronische Komponenten. JANTX1N5417US kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N5417US haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5417US Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N5417US
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SQ-MELF, B
Supplier Device Package : D-5B
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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