1N914B A0G Preise (USD) [6796615Stück Lager]
- 1 pcs$0.00544
- Artikelnummer:
- 1N914B A0G
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation 1N914B A0G elektronische Komponenten. 1N914B A0G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu 1N914B A0G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
1N914B A0G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
1N914B A0G
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
Serie :
-
Teilestatus :
Active
Diodentyp :
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) :
100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) :
150mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If :
720mV @ 5mA
Geschwindigkeit :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) :
4ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr :
5µA @ 75V
Kapazität @ Vr, F :
4pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart :
Through Hole
Paket / fall :
DO-204AH, DO-35, Axial
Supplier Device Package :
DO-35
Betriebstemperatur - Übergang :
-65°C ~ 150°C
Neuesten Nachrichten
Sie könnten auch interessiert sein an
-
BYT79B-600PJ
WeEn Semiconductors
DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK. Rectifiers BYT79B-600PJ/TO263/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
-
1N914B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, 100V 0.15A Swtch Diode/Array
-
BAV21 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 250V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
C5D10170H
Cree/Wolfspeed
10A 1700V G5 ZREC SIC SCHOTTKY. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1700V, 10A
-
NSVBAS16WT3G
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70. Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SC70 SWCH DIO 75V TR
-
SMMBD770T1G
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 70V 200MA SC70-3. Schottky Diodes & Rectifiers SS SHKY DIO 70V TR
Heiße Teile
- VSB3200-M3/51
- D1461S45TXPSA2
- CLLRH-02 TR
- VS-8EWS12STRRPBF
- TVR10GHM3/54
- BYC20DX-600PQ
- VS-10TQ035SPBF
- VS-HFA04SD60STRRP
- RB721Q-40T-72
- CD1607-B120LF
- VS-60CPF04PBF
- IDP23E60
- UGF12JTHE3/45
- HER206-TP
- BY229B-600HE3/45
- S306120
- RU 4B
- EGL34DHE3/98
- GPP15B-E3/54
- RGP5020HE3/73
- BYD13MGP-E3/73
- FFH15S60STU
- V10P10-E3/87A
- BAS5202VE6127XT
- SSC53L-E3/51T
- SB160-E3/51
- BAS21T-7
- VSKE270-08
- PRLL5817,115
- CLL3595 BK
- 1F3-TP
- FESB16DT-E3/81
- FESB8JT-E3/45
- RU 2ZV1
- HS3M R7G
- MURS160HE3_A/I
- RM 1V1
- RB068LAM-40TR
- RBR1MM40ATR
- 1N6483-E3/97