Alliance Memory, Inc. - AS4C16M32MD1-5BINTR

KEY Part #: K940024

AS4C16M32MD1-5BINTR Preise (USD) [27839Stück Lager]

  • 1 pcs$1.65429
  • 1,000 pcs$1.64606

Artikelnummer:
AS4C16M32MD1-5BINTR
Hersteller:
Alliance Memory, Inc.
Detaillierte Beschreibung:
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA. DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 16M x 32 Mobile DDR
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Schnittstelle - Module, Linear - Verstärker - Spezialanwendungen, Uhr / Timing - anwendungsspezifisch, Schnittstelle - direkte digitale Synthese (DDS), Schnittstelle - Sprachaufzeichnung und Wiedergabe, PMIC - Ladegeräte, Clock / Timing - Programmierbare Timer und Oszilla and PMIC - Voll- und Halbbrückentreiber ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5BINTR elektronische Komponenten. AS4C16M32MD1-5BINTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AS4C16M32MD1-5BINTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS4C16M32MD1-5BINTR Produkteigenschaften

Artikelnummer : AS4C16M32MD1-5BINTR
Hersteller : Alliance Memory, Inc.
Beschreibung : IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Serie : -
Teilestatus : Active
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : SDRAM - Mobile LPDDR
Speichergröße : 512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz : 200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 15ns
Zugriffszeit : 5ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 90-VFBGA
Supplier Device Package : 90-FBGA (8x13)

Sie könnten auch interessiert sein an
  • AT28HC64B-12SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 1M 5V SDP - 120NS IND TEMP

  • 6116LA25SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116LA20SOGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • 6116SA25TPGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 24DIP. SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM

  • W25M512JVFIQ TR

    Winbond Electronics

    IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • MD56V62160M-7TAZ0AX

    Rohm Semiconductor

    IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP.